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        電光開關
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        濟南快譜光電技術有限公司

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        主頁: www.labofcellgrowth.com

        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關資訊

        2019-12-05

        產品特性:
          調Q開關廠家告訴您:光學級摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體以及鈮酸鋰(LN)晶體擁有較好的電光性能,非線性系數大,光學均勻性好,機械及化學性能穩定,不潮解,半波電壓低,其缺點是消光比低,抗損傷閾值低,常被應用于低重復頻率(100Hz)。


        應用范圍:
          MgO:LN以及LN電光調Q開關應用廣泛,常被應用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中,適應于低功率調Q輸出,尤其在激光測距領域發揮著重要的作用。本公司推出LN電光開關電光調制器可為客戶提供Z緊湊的小體積設計,可按客戶要求改變外殼圖紙,便于Z終調試和應用。


        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關


        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關


         

        標準要求(LN電光調Q及電光調制器)

        截面

        zui大

        20 x 20 mm2

        zui小

        4 x 1mm2

        長度

        zui大

        60 mm

        zui小

        5 mm

        定向

        10分

        平面度

        λ/8 @ 633nm

        透過畸變

        λ/4 @ 633nm

        光學平行

        < 20 arc sec.

        側垂

        < 5 arc sec.

        光潔度

        10-5 膜后20-10

        輸入/輸出端鍍膜

        300-3000nm可訂制

        質量有效期

        一年

         

        標準規格

        序列號

        通光孔徑

        外殼尺寸(可按客戶設計)

        半波λ/4電壓

        CPLPC-025-633nm-M

        2.5mm

        直徑20mm x66mm 

        晶體尺寸 4x2.5x60mm

        400V λ/2  at 633nm電光調制

        CPLPC-05-633nm-M

        5mm

        直徑25.4mm x36mm

        晶體尺寸 5x5x30mm

        800V λ/2  at 633nm電光調制

        CPMLPC-09-1064nm-Q

        9 mm

        直徑30mm x 26mm

        2100V λ/4 at 1064nm 電光調Q

        CPMLPC-06-1064nm-Q

        6 mm

        直徑25.4mm x 26mm

        1400V λ/4 at 1064nm 電光調Q

        CPMLPC-09-1064-Q-S

        9mm

        方型設計 18 x 17 x 20mm

        2100V λ/4 at 1064nm 電光調Q

        整體透過率

        >98%

        晶體透過畸變

        λ/6 @ 633nm

        插入損耗

        2%

        晶體平面度

        λ/8 @ 633nm

        建議輸出調Q能量

        100 mJ

        消光比

        300:1 - 500:1

        電容

        5pF

        X面鍍金鉻電極

        損傷閾值

        100 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz (LN開關

        200 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz (MgO:LN開關)




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