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        摻釹釩酸釔晶體資訊

        2019-12-05

        產品特性:

          摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)晶體是一種性能優良的激光晶體,常應用于半導體泵浦尤其是中低功率的激光器。與Nd:YAG相比Nd:YVO4晶體的優勢是對泵浦光有更高的吸收系數和更大的受激發射截面,能輸出線性偏振光。半導體泵浦條件Nd:YVO4晶體與LBO, BBO, KTP等高非線性系數的晶體配合使用,能夠達到更好的倍頻轉換效率。


        摻釹釩酸釔晶體


        摻釹釩酸釔晶體



          應用范圍:

          可以應用于輸出近紅外、綠色、藍色到紫外線(RGB激光器)等全固態激光器。而且Nd:YVO4晶體使半導體泵浦固態激光器更小型化,另外拓展了單縱模輸出方面。Nd:YVO4激光器在加工、醫學、激光印刷、數據存儲等多個領域有著廣泛的應用,此外,Nd:YVO4和Nd:YVO4鍵合晶體的應用領域還在不斷拓寬。



          優勢:
          ●在808nm左右的泵浦帶寬,約為Nd:YAG的5倍
          ● 在1064nm處的受激發射截面是Nd:YAG的3倍
          ● 光損傷閾低,高斜率效率
          ●雙軸晶體,輸出為線偏振光

         

        標準要求

        截面

        ~ 12mm2

        長度

        0.5 ~ 30mm

        平面度

        λ/8 @ 633nm

        波前畸變

         

        λ/8 @ 633nm

        側垂

        <5 arc min.

        受激輻射截面

        25 x10-19cm2

        平行

        <10 arc sec.

        常規波長應用

        1064nm;1342nm;914nm

        濃度范圍

        0.1% ~ 3%

        濃度控制精度

        ±0.05%

        定向

        a-cut, c-cut

        定向精度

        <6 arc min.

        光潔度

        10/5 膜后 20/10

        損傷閾值

        800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

        鍍膜

        Coatings

        AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%);AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%)

        AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%)

        AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)

        (表1)


        標準規格

        序列號

        濃度

        晶體尺寸

        膜系

        CPNDEO-03-0310

        0.3%

        3x3x10mm3

        AR/AR @ 1064nm + 808nm

        CPNDEO-05-0415

        0.5%

        4x4x15mm3

        AR/AR @ 1064nm + 808nm

        CPND-05-0430-W

        0.5%

        4x4x30 mm3

        AR/AR @ 1064+(800-895)nm

        CPND-03-0308

        0.3%

        3x3x8mm3

        AR/AR @ 1064+808+1342nm

        CPNDDBC-0.3-0310

        0.3%

        3x3x(2+8)mm3

        AR/AR @ 1064nm + 808nm

        CPNDDBC-03-0320

        0.3%

        3x3x(2+16+2)mm3

        AR/AR @ 1064nm + 808nm

        可提供濃度范圍

        0.1%~ 3%

        濃度控制精度

        ±0.05%

        定向:

        A-cut

        C-cut

        受激輻射截面

        25x10-19cm2 1064nm

        定向精度

        <6分

        損傷閾值

        800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

        常規波長應用

        1064nm; 1342nm; 914nm

        我司可提供Nd:YVO4單端, 雙端鍵合晶體以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG鍵合晶體等。

        (表2)



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