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        濟南快譜光電技術有限公司

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        DKDP電光Q開關資訊

        2019-12-05

        產品特性:
          磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學損耗低,消光比高,電光性能好,應用廣泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體(DKDP)利用其縱向效應制成電光調Q開關,適合用于脈沖固體激光器中,通常應用于低重復頻率條件時激光美容與激光醫療等領域,但是因為DKDP晶體電光應用的缺點是四分之波電壓比較高,1KHz以上有振鈴效應,快譜光電可提供DKDP電光調制器,DKDP單晶,雙晶電光開關等產品。
          因DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差,建議使用時需注意在以下操作環境下使用:溫度操作范圍:10~50度,溫度變化每20分鐘不宜超過5度,環境濕度:<40% ,盡量搭配濕度控制裝置(干燥器皿及干燥劑)使用,不使用時請存儲于干燥箱內。
          注:由于DKDP普克爾盒所需施加的四分之一波長電壓和半波電壓與溫度有關,在1064nm波長下,四分之一波長電壓隨溫度變化的規律是溫度每升高1oC,所需四分之一波長電壓升高約50V。即,dV/dT約為+50V/oC 。


        DKDP電光Q開關


        DKDP電光Q開關


        DKDP電光Q開關



        應用范圍:
          ●染料激光器800nm二、三倍頻以及1064nm 二、三、四倍頻
          ●電光調制電光調Q
          ●高速攝像開關



        KDP & DKDP電光晶體標準要求

        截面

        5 x 5 ~ 50 x 50 mm2

        長度

        2 mm ~ 40 mm

        超大尺寸

        100x100mm2

        含氘量

        >96%

        平面度

        λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

        波前畸變

        λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

        定向精度

        0.2°

        透過畸變

        λ/8 @ 633nm

        光學平行

        < 20 arc sec.

        側垂

        < 10 arc sec.

        光潔度

        10-5 膜后20-10 or 40-20

        倒邊

        <0.2mm x 45°

        鍍膜指標

        AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)

        損傷閾值

        350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

         


        KDP與DKDP晶體屬性參數


        DKDP

        KDP

        化學式

        KH2PO4

        KD2PO4

        透光波段

        200-2150nm

        178-1580nm

        非線性系數

        d36=0.40pm/V

        d36=0.44pm/V

        電光系數

        γ63=25pm/V  γ41=8.8pm/V

        γ63=10.3pm/V  γ41=8.8pm/V

        吸收系數

        0.005/cm

        0.07/cm

        半波電壓

        2.98KV 546nm

        7.65KV 546nm


        標準要求(DKDP電光調Q及電光調制器)

        截面

        Z大

        直徑50 mm2


        Z小

        直徑5 mm2

        長度

        Z長

        40 mm

        透過畸變

        λ/8 @ 633nm

        光學平行

        < 20 arc sec.

        側垂

        < 5 arc sec.

        光潔度

        10-5 膜后20-10

        四分之一波電壓

        3.2kV at 1064nm, 20oC

        半波電壓

        6.4kV at 1064nm, 20oC

        輸入/輸出端 鍍膜

        300-1200nm可訂制

        透過畸變

        λ/8 @ 633nm

        整體透過率

        >98%

        損傷閾值

        350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz

        DKDP電光Q開關

        標準規格(Z切DKDP晶體)

        單晶DKDP開關

        序列號

        通光孔徑

        外殼尺寸(可按客戶設計)

        四分之波電壓

        電容

        CPDPC-15

        Dia.15 mm

        Ф35×45mm

        3300V at 20oC

        <15pF

        CPDPC-12

        Dia.12 mm

        Ф32×40mm/Ф25.4×33mm

        3300V at 20oC

        <7pF

        CPDPC-10

        Dia.10mm

        Ф32×40mm/Ф25.4×33mm

        3300V at 20oC

        <6pF

        CPDPC-08

        Dia.8mm

        Ф20×35mm/Ф19×25mm

        3300V at 20oC

        <5pF

        消光比

        >1500:1

        雙晶DKDP開關

        序列號

        通光孔徑

        外殼尺寸(可按客戶設計)

        四分之波電壓

        電容

        CPDDPC-10

        Dia.10mm

        Ф50×70mm

        1600V at 20oC

        <15pF

        CPDDPC-08

        Dia.8mm

        Ф50×70mm

        1600V at 20oC

        <7pF

        消光比

        >500:1




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