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        β相偏硼酸鋇(BBO)晶體資訊

        2019-10-21

        β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

         

        晶體特性:


        BBO晶體可透過波段范圍寬(190—3500nm),尤其是紫外波段透過好,缺點是具有較小的接收角和較大的發散角,BBO晶體具有高損傷域值,適合應用于高功率,光學均勻性好,是一種高效的非線性晶體




         β相偏硼酸鋇(BBO)晶體


           β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

        應用范圍:

          可以廣泛地應用在染料激光器,超快脈沖激光器,鈦藍寶石,氬離子激光器以及銅蒸汽激光器等不同類型的激光器,例如1064nm和800nm二、三、四倍頻,另外BBO晶體的OPO和OPA系統還可用來產生從紫外到紅外的大范圍可調相干光輸出,電光效應好,也是Z常被制成電光調Q及調制器件的一種電光晶體

         

        標準要求

        長度

        Length

        0.01mm ~ 25mm

        平行

        Parallelism

         20 arc sec.

        波前畸變

        Wavefront distortion

        λ/8 @ 633nm

        光潔度

        Surface quality

        10-5 膜后 40-20

        損傷閾值

        Damage threshold

        600 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

        平面度

        Flatness

        λ/8 @ 633nm

        鍍膜

        Coatings

        AR/AR @ 1064nm X面鍍金 Au-Cr Electrode

        P-coatings for thickness:0.01mm ~ 1mm

        (表1)


        BBO晶體標準規格

        序列號

        定向

        晶體尺寸

        膜系

        CPBB0Z-0320

        Z切

        3x3x20mm3

        AR/AR @ 1064nm X面鍍金

        CPBB0Z-0420

        Z切

        4x4x20mm3

        AR/AR @ 1064nm X面鍍金

        CPBBSH-0501-1064

        SHG at 1064nm

        5x5x0.5mm3

        P-coatings @ 1064nm + 532nm

        CPBBSH-0501-800

        SHG at 800nm

        5x5x0.5mm3

        P-coatings @ 800nm + 400nm

        CPBBSH-0306-532

        SHG at 532nm

        3x3x6 mm3

        AR/AR @ 532nm + 266nm

        備注:BBO薄片帶25.4mm支架,長期提供常規規格產品。

        (表2)




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