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        DKDP電光調制模塊

        2020-01-03

        DKDP電光調制模塊主要特點:

        ·重復頻率0~400Hz

        ·晶壓2.0~5.0KV

        ·脈沖前沿≤10ns

        ·EMI/RFI屏蔽封裝

        ·TTL電平觸發光耦隔離

        ·輸入12±1VDC

        ·外置電位器控制輸出高壓

        ·高可靠性、全溫度范圍

         

        DKDP電光調制模塊


        應用范圍:

        1.KD*P   2.LINbO 

        3.其他光電晶體

        (驅動Pockels cells)

        應用范例:

        a.中低重頻LD泵浦調Q固體激光器 

        b.燈泵調Q固體激光器

        模塊參數:

         

        類型

        數值

        單位

        備注

        輸出電壓

        2.0~5.0

        kV


        退壓/升壓時間

        ≤10

        ns

        負載為10PF

        延時抖動

        ≤2

        ns


        恢復時間

        ≤100

        μs

        與負載相關

        電源輸入

        12

        VDC

        功耗小于2.5W

        工作頻率

        0~400

        Hz

        支持單次工作

        模塊尺寸

        68*37*15

        mm

        尺寸包括兩側安裝孔位

        工作溫度

        -40~60


        存儲溫度

        -40~85


        模塊重量

        75

        g



        升壓模塊接線定義:

        編號

        定義

        說明

        1

        +12V

        輸入電源+

        2

        GND

        輸入電源-

        3

        SG-

        觸發脈沖信號-(上升沿觸發)

        4

        SG+

        觸發脈沖信號+(上升沿觸發)

        5

        FB1

        接控制電位器一端 100KΩ

        6

        FB2

        接控制電位器一端 100KΩ

        7

        EN-

        高壓使能控制-

        8

        EN+

        高壓使能控制+

        9

        GND

        輸出地

        10

        HVPULSE

        高壓升壓脈沖輸出端



        注意:

        1.”SG+ SG-”與“EN+ EN-”控制信號輸入模塊內部為光耦隔離設置

        2. EN+ EN-為高壓使控制端(光耦輸入端)。不接或接入低電平高壓使能,接入高電平(3.3V/5.0V)高壓輸出為0.

        3.SG+ SG-為外觸發信號輸入端(光耦輸入端)(3.3V/5.0V TTL)。輸入信號為上升沿觸發,外觸發信號與升壓脈沖輸出延時<75ns

        4.請將“HVPULSE”與“GND”接入調Q晶體兩端

        6.用高壓探頭測試輸出高壓脈沖,請將高壓探頭的地與輸出地“GND”連接,用高壓探頭測試“HVPULSE”端,輸出高壓脈沖為負高壓脈沖。

         

        光耦隔離設置



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