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        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體和鈮酸鋰(LN)晶體

        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體和鈮酸鋰(LN)晶體

        • 所屬分類:電光晶體
        • 瀏覽次數:
        • 發布日期:2020-10-15
        • 產品概述
        • 性能特點
        • 技術參數

        晶體特性:
          光學級摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體和鈮酸鋰(LN)晶體擁有較好的電光性能,非線性系數大,光學均勻性好,機械及化學性能穩定,不潮解,半波電壓低,缺點是消光比低,抗損傷閾值低。


        摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體


        應用范圍:
          LN晶體應用波長范圍寬廣(420 – 5200nm),常被應用于Er:YAG,Ho:YAG,Tm:YAG激光器中,除了非線性應用,鈮酸鋰還作為電光材料在光通訊中起到光調制作用。。我公司還可提供摻鐵鈮酸鋰晶體(Fe:LiNbO3晶體)。



        標準要求

        消光比

        300:1-700:1

        平行

        < 20 arc sec.

        整體透過率

        > 98%

        波前畸變

        λ/4 @ 633nm

        平面度

         

        λ/8 @ 633nm

        光潔度

        10-5 膜后 20-10

        損傷閾值

         

        100 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz(LN)

        200 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz(MgO:LN)



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