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        磷酸鈦氧鉀(KTP)晶體 (KTiOPO4)

        磷酸鈦氧鉀(KTP)晶體 (KTiOPO4)

        • 所屬分類:非線性晶體
        • 瀏覽次數:
        • 發布日期:2020-10-23
        • 產品概述
        • 性能特點
        • 技術參數

        晶體特性:
          KTP的非線性系數大,溫度敏感性低,機械性能良好,不潮解,是綜合性能好的非線性晶體之一。


        磷酸鈦氧鉀(KTP)晶體 (KTiOPO4)

        應用范圍:
          倍頻、混頻、光參量振蕩、電光調制以及光波導等器件中,常用于小功率綠光激光器中,倍頻轉換效率為60%,腔內倍頻zui高可以達到70%。在高溫使用條件下(處于溫控裝置中),例如40°,60°和80°時性能會更加穩定。



        標準要求

        KTP SHG 倍頻應用常規波長 SHG 倍頻 1064.0(e)+1064.0nm(o)->532.0nm(e)

        損傷閾值

        300-400 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

        平行

         < 10 arc sec.

        鍍膜膜系

        AR/AR @ 1064nm

        光潔度

        10-5 膜后 20-10

        波前畸變

         

        λ/8 @ 633nm

        平面度

         

        λ/8 @ 633nm

        KTP OPO 光參量震蕩應用

        常規波長1570nm 1064nm(o)-> 1570nm(o)+3301.3nm(e)

        常規波長2128nm 1064nm(o)-> 2128nm(o)+2128nm(e)

        平行

        < 20 arc sec.

        定向

        < 6 arc min.

        損傷閾值

        450 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

        (表1)



        KTP 倍頻和差頻應用

        常規波長 SHG 倍頻 1064.0(e)+1064.0nm(o) –>532.0nm(e)

        常規波長 SFG 差頻 1064.0nm(e)+1319.0nm(o) –> 589.0nm(o)

        序列號

        應用

        晶體尺寸

        選材

        CPKTSH-0310

        1064nm倍頻

        3x3x10mm3

        A級選料,光斑模式好

        CPKTSH-0410

        1064nm倍頻

        4x4x10mm3

        A級選料,光斑模式好

        CPKTSH-0808

        1064nm倍頻

        8x8x8mm3

        A級選料,光斑模式好

        CPKTSH-0906

        1064nm倍頻

        9x9x6mm3

        A級選料,光斑模式好

        CPKTSH-1006

        1064nm倍頻

        10x10x6mm3

        A級選料,光斑模式好

        損傷閾值

        450 MW/cm2 at 1064nm, 10ns

        定向精度

        <6分

        KTP OPO 光參量振蕩應用

        常規波長1570nm  1064nm (o) –> 1570nm (o) + 3301.3nm (e)

        常規波長2128nm  1064nm (o) –> 2128nm (o) + 2128nm (e)

        序列號

        應用

        晶體尺寸

        膜系

        CPKTOP-0520-ARAR

        1064nm OPO 1570nm

        5x5x20mm3

        AR/AR @ 1064+1570nm

        CPKTOP-0420-HRHR-45%

        1064nm OPO 1570nm

        4x4x20mm3

        S1:HR@1570nm+HT@1064nm,

        S2:PR@1570nm(T=45%)+HR@1064nm

        CPKTOP-1020

        1064nm OPO 1570nm

        10x10x20mm3

        AR/AR @ 1064+1570nm(R<0.2%)

        CPKTOP-0620-2128

        1064nm OPO 2128nm

        6x6x20mm3

        AR/AR @ 1064+2128nm(R<0.2%)

        平行

        <20秒

        定向

        <12分

        損傷閾值

        450 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 10Hz

        (表2)



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